碳硅共掺p型氮化铝晶体结构及光学性能研究

摘要：

　　在碳化硅衬底上通过碳硅共掺杂的方式利用升华法制备出p型氮化铝晶体。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)光谱对样品结构和光学性能进行分析。XRD的测试结果表明晶体的生长方向为c轴方向，晶体质量较好。霍尔测试的结果表明制备出的氮化铝晶体导电类型为p型。经过XPS测试分析，尤其是对Si2p和C ls的分析，发现样品中C替代N的位置起受主作用，而Si替代Al的位置起施主作用。通过样品的PL谱观察到波长分别为309nm和396nm的强发射峰。结合样品的结构以及理论计算结果，得知这两个发射峰分别来自于C和Si杂质形成的复合物VN-CN和CN-SiAl。

关键词： 氮化铝半导体 p型导电 晶体结构 光学性能 碳硅共掺杂

作者: Honglei Wu 武红磊 Ruisheng Zheng 郑瑞生 Zheng Yan 闫征 Mengmeng Li 李萌萌 Wei Zheng 郑伟

作者单位: Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education / Guangdong Province, 深圳大学光电工程学院 光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳 518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 305-308

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）