InAs/GaSb超晶格界面的光学各向异性研究

摘要：

　　在室温下采用偏振反射差分光谱测量了InAs/GaSb超晶格平面内光学各向异性,在GaAs界面厚度保持不变的情况下研究了不同厚度InSb界面对超晶格平面内光学各向异性的影响。并利用高分辨XRD测量了不同的InSb界面厚度对超晶格晶格失配的影响。分别在InAs和GaSb的ΓΛ(E0,E0+△0)和Λ(E1,E1+△1)临界点观察到了平面内光学各向异性信号。InSb界面的厚度的增加减小了超晶格的应变,临界点能量发生移动。InAs和GaSb上下界面的不对称性可以解释平面内光学各向异性的来源,分析了应变对各向异性的影响。

关键词： 化合物半导体 超晶格界面 光学各向异性 反射差分光谱

作者: Shujie Wu 武树杰 Jinling Yu 俞金玲 Hansong Gao 高寒松 Chongyun Jiang 蒋崇云 Yonghai Chen 陈涌海

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 309-312

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）