(NH4)2Sx/NH4SCN溶液钝化InAs(100)表面的研究

摘要：

　　为了去除InAs抛光片表面氧化层，同时减缓表面氧化，实现表面钝化，以(NH4)2SX/NH4SCN溶液为主要研究对象，通过对比试验得出了钝化与非钝化样品的区别。利用X射线光电子能谱仪(XPS)和椭偏仪测试了表面钝化情况，结果表明InAs表面氧化层明显减少，表面质量有所提高。

关键词： 砷化铟半导体 抛光片 表面氧化层 钝化处理

作者: 杨凤云 赵有文 王俊 段满龙 董志远

作者单位: 中国科学院半导体所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 313-315

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）