3英寸InAs单晶生长及衬底制备
通过改进热场和单晶生长技术,利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸<100>晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。
砷化铟半导体 单晶生长 衬底制备 性能测试
杨俊 段满龙 董志远 刘刚 杨凤云 赵有文
中国科学院半导体研究所 北京 100083
国内会议
开封
中文
316-318
2012-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
砷化铟半导体 单晶生长 衬底制备 性能测试
杨俊 段满龙 董志远 刘刚 杨凤云 赵有文
中国科学院半导体研究所 北京 100083
国内会议
开封
中文
316-318
2012-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)