会议专题

3英寸InAs单晶生长及衬底制备

  通过改进热场和单晶生长技术,利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸<100>晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。

砷化铟半导体 单晶生长 衬底制备 性能测试

杨俊 段满龙 董志远 刘刚 杨凤云 赵有文

中国科学院半导体研究所 北京 100083

国内会议

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

开封

中文

316-318

2012-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)