低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管及暗电流分析

摘要：

　　本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿,器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散,降低了器件的制备难度。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90％击穿电压下暗电流仅0.16nA。未生长抗反膜的器件在1.55微米处增益为l时的光响应度可达0.65A/W。

关键词： 雪崩光电探测器 光电二极管 器件制备 暗电流分析

作者: Bin Li 李彬 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 Shaoqing Liu 刘少卿 Weihong Yin 尹伟红 Chenglei Nie 聂诚磊

作者单位: China State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Acade 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 319-321

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）