一种InGaAs/InP HBT小信号模型参数提取新方法

摘要：

　　本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用电路网络理论以及S,Y,Z参数之间的关系,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行提取。建立了一套直观的直接提取模型参数的新方法,该方法无需引入数学优化,具有清晰的物理意义,提取的结果在很宽的频率范围内准确地拟合了器件特性,验证了模型的准确性与提取方法的有效性。

关键词： 异质结双极晶体管 参数提取 小信号模型 效果评估

作者: Jincan Zhang 张金灿 Yuming Zhang 张玉明 Hongliang Lv 吕红亮 Yimen Zhang 张义门 Wei Zhou 周威 Min Liu 刘敏

作者单位: School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 322-325

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）