W波段InP HEMT低噪声放大器

摘要：

　　本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采用Cascodc拓扑结构。共面波导和Cascode结构单元布局兼容,并且不需要减薄和背金,本设计选取CPW布线形式。通过Agilent ADS仿真器中的优化功能模块对无源器件部分尺寸进行优化设计,设计出的低噪声放大器芯片测试结果为：Maxgain=13 dB@92.5 GHz,NFmin=[e-mail],该测试结果意味着所采用的InP HEMT器件在W波段电路应用中具有很大的潜力。

关键词： 低噪声放大器 高电子迁移率晶体管 磷化铟半导体 W波段

作者: Yinghui Zhong 钟英辉 Yuming Zhang 张玉明 Yimen Zhang 张义门 Hongliang Lu 吕红亮 Jincan Zhang 张金灿

作者单位: School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 326-329

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）