氧化物半导体纳米结构的构筑及光电纳米器件研究

摘要：

　　近年来，利用纳米压印、原子力刻蚀、电场组装等方法制备并组装了ZnO、SnO2、WO3、CuO等氧化物半导体纳米结构及纳米器件。系统研究了一维纳米结构的输运特性。研究表明，纳米线的输运特性受肖特基势垒的控制，纳米线的表面态是形成肖特基势垒的关键因素。发展了电化学沉积、UV光照等调控纳米结构输运特性的有效方法。通过利用纳米线肖特基势垒，发展了一些高性能的光电器件，例如：具有高灵敏度、快速回复特性的紫外光检测器，在室温下具有超高灵敏度的气敏传感器等。

关键词： 氧化物半导体 纳米结构 肖特基势垒 光电器件

作者: Zuliang Du 杜祖亮

作者单位: Key Lab for Special Functional Materials of ministry of education, Henan University, Kaifeng, 47.500 河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封 475004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 332-332

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）