砷化镓纳米线的分子束外延制备及其光伏电池应用研究
通过调整生长参数,实现砷化镓纳米线轴向和径向生长速率可控。在此基础上,使用分子束外延技术制备了芯壳p-n结构砷化镓纳米线。同时,通过探索GaAs一维纳米结构的光刻、壳层刻蚀、欧姆电极制备工艺,获得一维纳米芯壳光伏器件,针对该器件的I-V测试结果表明,该结构在模拟太阳光照射情况下(AM l.5G,1个太阳)t开路电压Voc-0.539、短路电流lsc=10.374mA/cm2、有效填充因子FF=0.6796,效率为38%。
光伏电池 砷化镓纳米线 分子束外延 化合物半导体
Xinhua Li 李新化 Long Wen 文龙 Shaojiang Bu 步绍姜 Yuqi Wang 王玉琦
Key Laboratory of Material Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, H 中科院固体物理研究所 材料物理重点实验室 安徽 合肥 230031
国内会议
开封
中文
342-344
2012-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)