加压MOCVD法生长InN薄膜

摘要：

　　本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于575°c时,通过不同岛之间的合并形成连续薄膜。生长温度在600-650°C,可以很清楚地观察到台阶流表面形貌。然而,随着生长温度进一步增加,在X射线衍射图中,可以观察到来自金属In的衍射峰。实验结果表明,在目前的生长压力下,当生长温度为575°C左右时,薄膜表现出较好的晶体质量且没有金属In析出。

关键词： 氮化铟薄膜 半导体材料 加压金属有机化学气相沉积 晶体质量

作者: Yuantao Zhang 张源涛 Baolin Zhang 张宝林 Guotong Du 杜国同 Takashi Matsuoka 松岡隆志

作者单位: State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春 130012 Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 9808577, Japan 日本東北大学金属材料研究所,仙台 9808577

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 345-347

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）