衬底弯曲度(bow)值对LED芯片性能的影响

摘要：

　　利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲度(bow)值对LED芯片的各个光学和电学参数的影响。公式计算的结果表明：不同的衬底弯曲度(bow)值对于LED芯片的性能具有明显影响：随着薄膜生长前衬底弯曲度(bow)值从-2.02μm到-6.77μm再到-9.21μm的逐渐增加，生长完成后外延层中的残余应力依次明显减小，芯片的电学和光学性能逐渐变好，主波长发生逐渐蓝移。

关键词： 发光二极管 弯曲度 氮化镓半导体 残余应力 芯片性能

作者: Dechao Yang 杨德超 Hongwei Liang 梁红伟 Shiwei Song 宋世巍

作者单位: CollegeofElectronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, China 吉林大学电子科学与工程学院,长春 130023 School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology,Dalian 116024, Chin 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 351-355

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）