DFB激光器阵列集成器件的热串扰分析

摘要：

　　对研制出的DFB激光器阵列与MMI、SOA的单片集成器件进行了初步的电注入热串扰分析。在20℃下的测试温度下，当邻近支路的激光器注入电流发生改变时，测试支路的激光器波长发生红移；两者距离为100μm且电流变化在l00mA以内时，波长红移0.13nm；在距离超过200μm时红移量只有0.06nm；增大激光器之间的距离可以明显改善热串扰的影响。

关键词： DFB激光器阵列 集成器件 热串扰分析 电注入

作者: Liangshun Han 韩良顺 Li Ma 马丽 Can Zhang 张灿 Song Liang 梁松 Hongliang Zhu 朱洪亮

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S 半导体材料科学重点实验室 中国科学院半导体研究所,北京912信箱 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S 半导体材料科学重点实验室 中国科学院半导体研究所,北京912信箱 100083;清华大学 电子工程系,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 368-370

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）