会议专题

氧气流量对Mg1-xZnxO薄膜择优取向的影响

  利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向;在沉积压强8.0Pa、高氧气流量条件下,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致薄膜的生长取向发生变化,晶向由(200)变为(111)。

半导体薄膜 氧气流量 金属氧化物 脉冲激光沉积 择优取向

Yukun Shao 邵玉坤 韩舜 Shun Han Youming Lu 吕有明 Peijiang Cao 曹培江 Wenjun Liu 柳文军 Yuxiang Zeng 曾玉祥 Fang Jia 贾芳 朱德亮 Deliang Zhu Xiaocui Ma 马晓翠

Materials Science and Engineering Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China 深圳大学 材料学院 深圳市特种功能材料重点实验室,深圳 518060

国内会议

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

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中文

382-386

2012-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)