ZnO dO铁磁性的可能来源

摘要：

　　通过第一性原理研究了ZnO本征半导体中本征缺陷和H杂质对ZnO dO铁磁性的影响。结果表明：单个锌空位(VZn)可以产生1.73μB磁矩,而氧空位(Vo)不能产生磁性,但是锌空位缺陷形成能比氧空位缺陷形成能要高出很多。当H杂质存在时,VZn+-II复合缺陷的缺陷形成能比VZn低了很多,同时V2n+H1复合缺陷仍然可以产生099 (0.65)μB磁矩。进一步研究表明：当两个VZn+H1复合缺陷存在时,晶体铁磁相的总能比反铁磁相低,暗示着缺陷复合体之间存在着铁磁相互作用。H是无掺ZnO中很容易浑入的杂质元素,因此,在名义上无掺的ZnO中铁磁性的可能来源是由于Vz+H1复合缺陷的存在。

关键词： 氧化锌半导体 dO铁磁性 复合缺陷 第一性原理

作者: Chengxiao Peng 彭成晓 Yang Zhang 张杨

作者单位: School of Physics and electronics,Henan University,Kaifeng,475004,China 河南大学物理与电子学院,开封 475004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 391-393

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）