沟道层厚度对室温下制备In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

摘要：

　　在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,本文对沟道层厚度对底栅式In2O3薄膜晶体管的电学性质的影响进行了讨论.经验证器件的特性与沟道层厚度有关。最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2V,开关电流比为约106,场效应迁移率为6.2cm2V-1s-1。

关键词： 薄膜晶体管 氧化铟半导体 沟道层厚度 电学特性

作者: Yang Jiao 焦洋 Xin”an Zhang 张新安 Linghong Ding 丁玲红 Weifeng Zhang 张伟风

作者单位: School of Physics and Electronics, Institute of Microsystem, Key Laboratory of Photovoltaic Material 河南大学物理与电子学院,河南省光伏材料重点实验室,河南开封,475004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 411-414

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）