磁隧道结中MgO薄膜的制备方法及性能表征

摘要：

　　采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜，结晶质量较差；通过改变溅射方法，利用Mg靶通O2的溅射生成的MgO薄膜结晶质量有大幅度的提高。对这两组样品同时进行400℃真空退火，退火后MgO薄膜结晶质量有一定的改善。

关键词： 氧化镁薄膜 磁隧道结 磁控溅射 制备工艺 性能表征

作者: Yongle Lou 娄永乐 Yuming Zhang 张玉明 Daqing Xu 徐大庆 Hui Guo 郭辉 Yimen Zhang 张义门 Yuchen Li 李妤晨

作者单位: School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materia 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071 School of Electrical and Control Engineering, Xi”an University of Science and Technology, Xi”an, 710 西安科技大学电气控制工程学院,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 429-431

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）