MOCVD生长中引入光辐照对ZnO纳米柱尺寸的影响

摘要：

　　采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从热力学和晶体生长动力学角度分析,认为光的辐照引入的热效应使衬底进一步升温,缓解晶格失配,使ZnO纳米柱趋向于横向生长以降低表面能：同时,更高的温度以及高能光子和表面原子的非弹性碰撞都有利于表面原子迁移,促进纳米柱侧向生长。室温PL测试结果预示着大尺寸ZnO纳米柱内部可能会存在更多的应力。

关键词： 氧化锌纳米柱 尺寸效应 金属有机化学气相沉积 光辐照 异质外延 晶格失配

作者: Bin Wu 伍斌 史志锋 Zhifeng Shi Xupu Cai 蔡旭浦 Jinxiang Zhang 张金香 Hui Wang 王辉 Xin Dong 董鑫 Yuantao Zhang 张源涛 张宝林 Baolin Zhang Guotong Du 杜国同

作者单位: State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J 集成光电子学国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J 集成光电子学国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012;大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116023

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 437-440

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）