基于WOx阻变材料的RRAM电路设计

摘要：

　　本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，实现了Unipolar与Bipolar兼容操作的需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了set过程需要字线限流的问题，进而可以实现‘0’和‘1’多bits数据的同时写入。芯片采用高低两种电压设计，同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。

关键词： 阻变存储器 氧化钨材料 半导体技术 集成电路设计

作者: Jie Yu 于杰 Bin Jiao 焦斌 Wenjun Zhang 张文俊

作者单位: The Institute of Microelectronics of Tsinghua University Beijing , 100084 , China 清华大学微电子所,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 447-450

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）