碳膜对于Al+注入4H-SiC (0001)高温退火效果的研究

摘要：

　　经Al+注入的4H-SiC(0001)晶片需要采用高温退火来消除晶格损伤以及激活离子,为了保护高温退火过程中的4H-SiC表面、抑制其粗糙度的增加,退火时在SiC表面覆盖上一层碳膜。退火之后,在O2气氛下经过1150℃干氧氧化数十分钟,碳膜可以完全去除。AFM测试显示,在退火过程中使用碳膜可以很好地抑制4H-SiC表面变得粗糙,退火前样品表面粗糙度为0.2 nm,退火后表面租糙度为1.0 nm.利用四探针测得退火样品方块电阻为42.7 kΩ/□,表明注入的Al离子已经激活。

关键词： 碳化硅晶片 铝离子注入 高温退火 碳膜覆盖 粗糙度

作者: Bin Liu 刘斌 Guosheng Sun 孙国胜 Xingfang Liu 刘兴昉 Zhi He 何志 Yiping Zeng 曾一平

作者单位: Key Laboratory of Semiconductors Materials, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 457-459

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）