基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计

摘要：

　　本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层。在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.18％,从而使得器件工作在C(1528～1560rim)波段。模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz,消光比为8.8dB,而插损仅为2.7dB。

关键词： 调制器设计 倏逝波耦合 锗硅电吸收 性能评价

作者: 李亚明 刘智 张东亮 薛春来 李传波 成步文 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 460-463

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）