金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究

摘要：

　　在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或介质易形成接近垂直的台阶,而采用光刻胶掩膜刻蚀SiC或介质则易形成缓坡台阶。本论文通过对Ni金属掩膜下采用ICP刻蚀SiC或介质的研究,得到了干法刻蚀SiC或介质的条件,形成的台阶接近垂直,刻蚀后的SiC表面光滑,SiC或介质与Ni的刻蚀比大于10：1。用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

关键词： 半导体器件 金属掩膜 碳化硅 干法刻蚀

作者: Gang Chen 陈刚 Quanhui Wang 王泉慧 Li Li 李理 Haiqi Liu 刘海琪 Song Bai 柏松

作者单位: Nanjing Electronic Devices Institute, Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 478-481

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）