硅衬底上多层锗量子点中磷掺杂对其光荧光的增强
利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了4层Ge/Si量子点样品。通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了非掺杂、磷掺杂和硼掺杂。研究了掺杂对Ge/Si量子点表面形貌以及室温光荧光的作用。相比非掺杂的样品,Ge/Si量子点磷掺杂对其形貌影响很小,但其室温光荧光得到了有效的增强。而硼掺杂的样品Ge/Si量子点的密度有所减少且光荧光减弱。磷掺杂增强Ge/Si量子点光荧光的原因不是由量子点密度变化引起的,而是磷掺杂为6e/Si量子点提供了更多参与辐射复合的电子。
半导体材料 多层锗量子点 硅衬底 磷掺杂 荧光增强
Zhi Liu 刘智 Yaming Li 李亚明 Chunlai Xue 薛春来 Buwen Cheng 成步文 Qiming Wang 王启明
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
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498-501
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）