SiC表面氢等离子体处理对MOS界面电学特性影响

摘要：

　　本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理，并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线光电子诺(XPS)表面测试分析结果显示，氢等离子体处理后，表面C/C-H污染物被有效的去除，氧含量明显降低。在此工艺基础上对SiC MOS电容的C-V电学特性测试结果表明，氢等离子体处理能有效降低SiO2/SiC的界面态密度至1.06×1012cm-2 eV-1。

关键词： 碳化硅半导体 氢等离子体 表面处理 界面态密度 电学特性

作者: Bingbing Liu 刘冰冰 Lingqin Huang 黄玲琴 Qiaozhi Zhu 朱巧智 Dejun Wang 王德君

作者单位: School of Electronic science and Technology, Faculty of Electronic Information and Electrical Engine 大连理工大学 电子信息与电气工程学部 电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 511-514

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）