EWT单晶硅太阳电池工艺与讨论

摘要：

　　背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程，测试了器件在模拟光照下的I-V特性，讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射极和通孔金属化等三种工艺的重要性以及对EWT太阳电池参数的影响。

关键词： 太阳电池 单晶硅衬底 工艺流程 性能评价

作者: Xiaoning Zhu 朱小宁 Yongguagn Huang 黄永光 Deiwei Liu 刘德伟 Xiyuan Wang 王熙元 Xiao Cui 崔晓 Baojun Wang 王宝军 Hongliang Zhu 朱洪亮

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京 100083 Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China 郑州轻工业学院,郑州 450002

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 526-529

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）