PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究

摘要：

　　为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性，通过降低反应室的工作压力、提高RF射频功率和SiH4流量可以达到降低BOE腐蚀速率，提高SiO2薄膜致密性的目的，采用原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌，对实验结果进行了验证。本文通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为91.8A/s的SiO2薄膜。

关键词： 二氧化硅薄膜 致密性分析 腐蚀速率 等离子体增强化学气相沉积系统 参数优化

作者: Wentao Guo 郭文涛 Manqing Tan 谭满清 Jian Jiao 焦健 Xiaofeng Guo 郭小峰 Ningning SUN 孙宁宁

作者单位: Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 538-541

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）