4H-SiC中Vc缺陷的第一性原理研究

摘要：

　　使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明：K会引入新的杂质能级，与其成键的Si原子是形成该杂质能级的主要因素且该四个Si原子对该能级的贡献相同。

关键词： 碳化硅半导体 能带结构 碳空位 型点缺陷 第一性原理

作者: 程萍 张玉明 张义门 李永平

作者单位: 宁波大红鹰学院,宁波 315175 西安电子科技大学,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 558-561

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）