超辐射发光二极管的瞬时辐射效应实验研究

摘要：

　　抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐射实验,结果显示,在2.0×1011～2.5×101Irad(Si)/s的剂量率范围内,SLD的光输出功率对应通道的输出电压在辐照瞬间发生扰动,扰动持续数微秒到数十微秒后输出电压恢复正常。全部SLD样品在瞬时辐照后仍可正常工作,其中心波长与光谱宽度等光谱特性没有发生变化。

关键词： 半导体器件 超辐射发光二极管 瞬时辐射效应 光输出功率 光谱特性

作者: Jian Jiao 焦健 Manqing Tan 谭满清 Xiaofeng Guo 郭小峰 Wentao GUO 郭文涛 Ningning SUN 孙宁宁

作者单位: Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China 中国科学院半导体研究所,北京,l00083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 579-582

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）