低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究

摘要：

　　本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30分钟之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。

关键词： 石墨烯薄膜 碳化硅衬底 制备工艺 性能评价 低真空条件

作者: Yun Li 李赟 Zhijun Yin 尹志军 Zhiming Zhu 朱志明

作者单位: Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanfing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 592-595

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）