降低开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度的方法
受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运行速率。为进步提高半绝缘InP基器件的性能要求降低其表面的残留硅杂质浓度。通过对半绝缘InP单晶衬底表面清洗和腐蚀过程的研究,提出了一种含有碱性溶液的腐蚀清洗方法。利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SI MS)对经过不同表面处理的InP单晶衬底的表面杂质进行了分析,结果表明：经过新的碱性腐蚀方法的处理,衬底表面的残留硅杂质浓度明显降低。
器件处理 半绝缘磷化铟 单晶衬底 表面残留 硅浓度 化学腐蚀
Jingming Liu 刘京明 Youwen Zhao 赵有文 Fenghua Wang 王凤华 Fengyun Yang 杨凤云
Institute of Seraiconductor, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China 中国科学院半导体研究所,北京 100083
国内会议
开封
中文
604-607
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）