改善晶片“塌边”现象的研究

摘要：

　　本文主要改善晶片边缘的“塌边”，提高晶片的平整度，提高衬底晶片的利用率。本文主要针对单面的旋转式化学机械抛光，系统研究了单面旋转式化学式抛光不同转速比ω1(抛光盘转速)和ω2(抛光头转速)对单面抛光晶片平整度的影响。结果表明：当ω1(抛光盘转速)：ω2(抛光头转速)为1：1时，工作盘上各点运行轨迹相同，即被单面抛光晶片的各点运行行程相同，直接导致各点掉量相同，单面抛光晶片“塌边”较小，晶片的TTV(总厚度偏差)均值较小。

关键词： 器件处理 半导体晶片 塌边现象 化学机械抛光 转速比

作者: Lijie Liu 刘丽杰 Xuefeng Li 李雪峰 Bo Zhao 赵波 Wensen Liu 刘文森

作者单位: Beijing Tongmei Xtal Technology Co.Ltd , Beijing, 101113, China 北京通美晶体技术有限公司,北京 101113

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 608-610

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）