SiC基稀磁半导体材料的微结构和磁性研究

摘要：

　　稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发展以及应用工艺，使其在稀磁半导体材料中具有潜在的应用前景。在本文中，采用溶胶。凝胶碳热还原法、气-固(VS)生长法、离子注入法分别制备了Mn掺杂的3C-SiC纳米颗粒、Mn掺杂的3C-SiC纳米线及N离子注入6H-SiC单晶等稀磁半导体材料。本文采用X射线衍射仪(XRD)。扫描电子显微镜(SEM)，原子力显微镜(AFM)，高分辨透射电子显微镜(HRTEM)，超导量子干涉仪(SQUID)等仪器对样品进行了表征，并对磁性起源做了简要讨论。

关键词： 稀磁半导体 碳化硅基 微结构 磁性起源

作者: Zhicong Lv 吕志聪 Yu Tian 田宇 Haiwu Zheng 郑海务 Weifeng Zhang 张伟风

作者单位: School of Physics and electronics, Henan University, Kaifeng, 475004, China 河南大学物理与电子学院,开封 475004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 611-615

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）