P-β-FeSi2/n-6H-SiC近红外光电二极管的实验研究

摘要：

　　为研究p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结近红外光电二极管的特性,采用直流磁控溅射铁硅合金靶、硅靶和铝靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结,通过X射线衍射(XRD)对制备的薄膜样品的组分进行了表征,结果表明在900℃的温度下退火5分钟,得到了多晶β-FeSi2薄膜。SEM显示β-FeSi2/6H-SiC界面清晰。通过β-FeSi2薄膜透射诺测量,得到β-FeSi2薄膜吸收曲线和光能隙。实验制作的P-β-fesi2/n-6H-SiC异质结具有整流特性：在近红外激光管(1.31μm,5mW)照射下,外加偏置-1V时,室温光电响应度为16.5mA/W。

关键词： 近红外光电二极管 磁控溅射 异质结 碳化硅衬底 半导体薄膜

作者: Rudai Quan 全汝岱 Xin He 贺欣 Hongbin Pu 蒲红斌 陈治明

作者单位: Department of Electronic Engineering, Xi”an University of Technology, Xi”an 710048, China 西安理工大学自动化学院电子工程系,陕西 西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 616-619

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）