快速退火法制备β-FeSi2薄膜的研究

摘要：

　　在单晶硅Si(100)衬底上,采用直流磁控溅射FeSi合金靶,并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度以及溅射过程中的衬底温度对薄膜相变的影响。采用X射线衍射(xRD)对制备的样品进行了表征,表明在900℃下采用快速退火5分钟,样品薄膜完全转化为B-FeSi2相。用近红外分光光度计对900℃下制备的样品的透过率进行了测定,采用外推法得到薄膜的光学带隙约为0.88eV,进一步验证了得到的薄膜为β-FeSi2薄膜。

关键词： 半导体薄膜 制备工艺 快速退火法 性能表征

作者: Rudai Quan 全汝岱 Xin He 贺欣 Hongbin Pu 蒲红斌 陈治明

作者单位: Department of Electronic Engineering, Xi”an university of technology, Xi”an, 710048, China 西安理工大学自动化学院电子工程系,陕西 西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 620-623

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）