SiO<,2>单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理研究

摘要：

对SiO<,2>单晶与Si<,3>N<,4>在干摩擦条件下的摩擦学特性进行了考察，并用JSM-5600LV扫描电子显微镜对SiO<,2>单晶表面摩擦轨迹的微观结构进行了研究。研究结果表明：在低负荷、干摩擦条件下，SiO<,2>单晶与Si<,3>N<,4>摩擦时，SiO<,2>单晶的磨损由轻微到严惩磨损分为3个阶段，其磨损机理为塑性剪切→塑性剪切+磨粒磨损→脆性断裂。

关键词： SiO<,2>单晶 扫描电镜 摩擦磨损

作者: 徐洮 田军 薛群基

作者单位: 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑开放实验室(甘肃兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国青年摩擦学学术会议

会议地点: 江苏徐州

会议语种:中文

页码: 43-45

在线出版日期: 1999-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）