中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究

摘要：

　　针对超晶格材料在中长波段的材料结构特点并结合理论模拟结论，采用生长中断方法和迁移率增强(MEE)方法进行中长波段超晶格材料分子束外延的生长参数优化研究。超晶格材料经过湿法腐蚀微加工工艺和表面钝化工艺后，分别制备了中波段和长波段单元红外探测器。文章还对中波段和长波段单元红外探测器的性能进行了分析。

关键词： 红外探测器 超晶格材料 分子束外延 产品性能

作者: 王国伟 王娟 邢军亮 徐应强 任正伟 贺振宏 牛智川

作者单位: 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第10届全国光电技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 85-86

在线出版日期: 2012-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）