基于半导体纳米结构的太赫兹波辐射与探测理论研究
这篇文章包括两个研究内容.在第一个内容中，通过计算量子环的光子参与的隧穿输运电流研究了实际GaAs量子环磁场调制的太赫兹吸收谱.研究发现，光子的吸收可以导致环隧穿电流的突然降低，并且表现为电流岁磁场变化谱线上高分变的dip.根据这一原理提出了磁场调制的THz探测方案.在另一部分内容中，发现通过调节源量子点间的耦合参数，可使得耦合量子点产生的高次谐波由仅奇数次变为奇偶次同在.利用Floquet定理，揭示了多能级系统高次谐波辐射的规律.根据这一发现，提出了利用GHz波驱动不对称的耦合量子点结构产生奇偶次THz谐波波的辐射，进而实现宽频THz源.
太赫兹波 辐射特性 探测理论 半导体纳米结构
段素青
北京应用物理与计算数学研究所
国内会议
北京
中文
179-179
2012-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）