GD08-012均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正,建立了三偶极子模型.新模型认为,光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成,第一偶极层由GaAs (Zn)(-)-Cs+偶极子组成,第二偶极层由Cs2O偶极子组成,第三偶极层GaAs-O-Cs偶极子组成,第二、三偶极层嵌入第一偶极层中.根据隧道效应与量子效率测试结果,确立了势垒中分段均匀的电势分布,计算得出势垒宽度为1.65 nm,有效电子亲和势为-0.44 eV.新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义.
GaAs光阴极 三偶极子模型 表面势垒 电势分布
张连东 冯刘 刘晖 程宏昌 陈高善 闫磊 高翔 苗壮
微光夜视技术重点实验室,西安 710065;北方夜视科技集团股份有限公司,昆明 650223
国内会议
北京
中文
237-237
2012-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）