GD09-003亚微米CMOS低温特性研究与物理建模

摘要：

　　为了设计低温下的红外探测器CMOS读出电路，实现高性能的红外成像探测技术，需对低温下的CMOS特性曲线进行研究，建立实用的物理仿真模型。本文介绍了CMOS低温建模需要设计的系列化管子，对管子的各种参数进行了测量，并对结果进行了具体分析，研究了CMOS低温77K下的特性曲线，建立了77K下的物理仿真实用模型，利用该模型设计红外探测器CMOS低温电路，通过测试，其仿真结果与低温77K的测试结果基本一致，验证了低温建模方法的可行性，该方法对特种专用集成电路的设计具有重要意义。

关键词： 亚微米 CMOS 77K低温特性 物理建模

作者: 袁红辉 陈永平 陈世军 刘强 徐星

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院研究生院,北京 100039 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第10届全国光电技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 242-242

在线出版日期: 2012-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）