GD12-006低温InGaAs/InAIAs超晶格的生长及特性分析

摘要：

　　InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料.利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料，通过高分辨×射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响，优化了分子束外延生长工艺.同时在InGaAs中引入p型受主Be来补偿载流子浓度，以提高材料的暗电阻.最后获得了质量较好的低温InGaAs/InAIAs超晶格，方块电阻达到1.63×106Ω/口.基于这种超晶格制成的THz光电导天线有很高的应用前景.

关键词： InGaAs/InAIAs 超晶格 分子束外延 X射线衍射

作者: 尹嵘 万文坚 韩英军 曹俊诚

作者单位: 中科院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹固态技术重点实验室,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第10届全国光电技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 279-280

在线出版日期: 2012-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）