关于SiO<,2>薄膜中的高场诱生缺陷性质的比较研究

摘要：

SiO<,2>薄模中的高场诱生缺陷是引起MOS器件特性蜕变以及器件失效的主要原因之一，因此对诱生缺陷进行了广泛的研究”1”。这类缺陷在SiO<,2>禁带中和在Si/SiO<,2>界面上产生了不同的能级，除了一些浅能级(<0.2eV)以外，在超薄SiO<,2>(≤10nm)中，有相当多的实验已经发现了一些较深的能级(≥1.0eV)”2”。在另外一些实验中也发现了一些更深的能级(≥2eV)”3””4”。这是一些弧立的能，与通常在非晶硅或氮化硅(Si<,3>N<,4>)中发现的连续分丰能级不同。这些能级的位置一般可以由TDDB的温度实验来确定。

关键词： SiO<,2>薄膜 诱性缺陷

作者: 谭长华 许铭真

作者单位: 大学微电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 147～147

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）