0.18μm CMOS高效高增益功率放大器设计

摘要：

　　在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC0.18μmCMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置.采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化.设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49％,功率增益达到32dB.

关键词： 功率放大器 结构设计 共源共栅 功率增益 电路仿真

作者: ZHANG Hai-peng 张海鹏 WANG Yang 汪洋 LI Hao 李浩

作者单位: School of Electronics Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou Zhejiang 310018, China 杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018

会议类型: 国内会议

会议名称: 浙江省电子学会2012学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 9-12

在线出版日期: 2012-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）