磁电可调微波器件电调频带漂移模型
针对磁电可调微波器件外加电场可以调节器件频带漂移的现象,该文基于经典层合板理论及Smith-Beljers理论,建立了外电场作用下磁电层合结构铁磁共振频率漂移模型。对PZT/YIG/GGG 3层磁电层合结构,该理论模型可以在定性上有效的预测施加平行和垂直的外磁场时,电调FMR频率漂移方向相反的实验现象,进而为磁电可调微波器件电调频带漂移现象提供了理论基础。
微波器件 磁电层合结构 频率漂移 铁磁共振 建模分析
CHEN Qing 陈晴 ZHOU Hao-miao 周浩淼 DENG Juan-hu 邓娟湖 XIA Zhe-lei 夏哲雷
College of Information Engineering, China Jiliang University, Hangzhou Zhejiang 310018, China 中国计量学院信息工程学院,浙江杭州310018
国内会议
杭州
中文
13-16
2012-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)