AIN-SiC复合陶瓷的微波衰减性能

摘要：

　　以氮化铝,纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1600℃,30MPa,保温5min,放电等离子体烧结(SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷。利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284ALRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析。结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在93％以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5Si3,随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加,SiC含量在30％-40％wt之间,1MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3。表明纳米SiC具有较强的吸波性能。相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低。

关键词： 粉末冶金 复合陶瓷 真空烧结 微波衰减性能

作者: ZHANG Yuli 张玉利 JIA Chengchang 贾成厂 GAO Peng 高鹏

作者单位: College of Materials Science and Engineering,Beijing University of Science and Technology,Beijing,10 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国工程科技论坛第151场——粉末冶金科学与技术发展前沿论坛

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 604-614

在线出版日期: 2012-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）