电针对脑缺血再灌注大鼠效应及G蛋白信号转导研究
目的：探索电针对脑缺血再灌注脑损伤效应与G蛋白信号转导的影响方法：制备改良LONGA血管内线栓脑缺血再灌注大鼠模型,随机对60只大鼠均分为假手术组、模型组、3Hz电针组、l00Hz电针组、3Hz EA+ CTX组、3Hz EA+ PTX组等6组,对照性观察各组脑缺血再灌注24h后,大鼠神经行为学、脑损伤侧大脑皮层锥体细胞层形态学及免疫组化学神经元Gs、Go亚基阳性细胞数及蛋白表达、灰度及光密度等变化.结果：3-Hz或100Hz电针”百会”、”大椎”两穴,可使脑缺血再灌流较低的大鼠神经行为学评分增加,脑损伤侧大脑皮层锥体细胞层形态学改善、脑神经功能缺损体征显著减轻.当电针或CTX加电针时,Gs阳性细胞数及蛋白表达比模型组增多：PTX加电针,模型组大鼠皮层中Go蛋白阳性细胞数比电针组显著增多(P＜0.0l)、Go平均灰度明显降低,平均光密度明显增高(P＜0.05),可见,电针能上调Gs阳性细胞数及蛋白表达,下调Go阳性细胞数及蛋白表达.结论：脑缺血再灌注损伤中,电针对大脑神经元保护效应是通过G蛋白含量与活性的级联信号通路而实现的,G蛋白介导细胞信号转导通路,在脑缺血再灌注损伤发病机制及针刺信号转导及抗氧应激效应中,具有至关重要的作用.
脑缺血再灌注 电针疗法 G蛋白信号 发病机制
Li Zhongren 李忠仁 Li Ying 李缨 Shen Meihong 沈梅红 Xiang Xiaoron 项晓人 Pan Jianling 潘建玲 Jing Dandan 景丹丹 Li Cheng 李成
The Second Medical College.Nanjing University of Chinese Medicine Nanjing of China 210029 南京中医药大学第二临床医学院,南京210029
国内会议
上海
中文
252-261
2012-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）