Bi2O3-V2O5的光催化活性及其正电子湮没谱

摘要：

　　以Bi2O3和V2O5为原料，采用高温固相反应合成BiVO4，以2,4-二硝基苯酚光催化降解为探针反应，考察了焙烧温度对BiVO4的光催化活性的影响。研究发现，经不同温度焙烧9h,Bi2O3与V2O5均能反应生成BiVO4，其禁带宽度为2.4eV。利用正电子湮没谱(寿命谱)分析了焙烧温度对BiVO4光催化活性的影响，发现经850℃下焙烧的BiVO4催化剂比其它焙烧温度下的催化剂有较多的表面缺陷数目，可产生表面光生电子-空穴的数目和不均匀性增加，缺陷位的电子密度大，使得其光催化氧化活性作用增强。

关键词： 金属催化剂 合成工艺 光催化活性 正电子湮没谱

作者: 刘自力 秦祖赠 陈胜洲 柯刚 陈国术 梁红

作者单位: 广州大学化学化工学院,广东广州510006;广西大学化学化工学院,广西南宁530004 广西大学化学化工学院,广西南宁530004 广州大学化学化工学院,广东广州510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国化学工程与生物化工年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 243-243

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）