不同退火温度下Sn1-xMgxO2薄膜的相结构和性能研究

摘要：

　　本文对磁控溅射法制备的外延Sn1-xMgxO2薄膜的光学性质和室温铁磁性进行了研究。分析结果表明薄膜样品的可见光透射率均高于80％，随着Mg的掺入样品的磁性和光学带隙显现出明显的变化，替代位的Mg以及间隙位的Mg是两个主要的影响因素。对Sn0.84Mg0.16O2样品进行不同温度的空气退火处理，发现退火温度高于750℃会导致样品的磁性逐渐减弱，结构分析表明随着退火温度升高，薄膜结构将由SnO2(100)转化为Mg2SnO4(111)的氧化物合金结构。

关键词： 外延薄膜材料 铁磁性 磁控溅射法 氧化物合金

作者: Baozeng Zhou 周宝增 Wei Zhou 周伟 Ping Wu 吴萍 Weifang Liu 刘卫芳 Pengfei Xing 邢鹏飞

作者单位: Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology,Faculty of Scie 天津大学理学院,天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津,300072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 53-56

在线出版日期: 2012-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）