In2O3薄膜的制备、结构、光、电及d0铁磁性研究

摘要：

　　本工作对射频磁控溅射法制备的纯氧化铟薄膜的结构、光、电、磁特性进行了研究。结果表明纯的氧化铟薄膜中存在室温d0铁磁性且可以通过真空退火得到有效的增强。另外，在不同的氧氩流量比下制备的纯氧化铟薄膜，其光学带隙及磁性随着氧氩流量比的增大呈非单调变化。当氧氩流量比达到15∶15时导电类型由n型转变为p型。结构、光、电、磁特性的一致变化表明氧空位和铟空位分别在n型和p型导电区域对调节铁磁性起重要作用。

关键词： 稀磁半导体材料 氧化铟薄膜 铁磁性 射频磁控溅射 性能测试

作者: Shaohua Sun 孙少华 Pengfei Xing 邢鹏飞 Weifang Liu 刘卫芳 Wei Zhou 周伟 Ping Wu 吴萍

作者单位: Key Laboratory of Low-Dimensional Materials Physics and Preparing Technology,Department of Applied P 天津大学理学院物理系,天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津,300072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 94-97

在线出版日期: 2012-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）