锗锰磁性半导体纳米点阵结构和性能的研究

摘要：

　　本文介绍了一种用分子束外延系统生长锗锰磁性半导体纳米点阵并且利用透射电子显微镜对其不同生长条件(即不同衬底，不同温度和不同组分)下得到的结构进行了系统的研究。

关键词： 锗锰磁性半导体纳米材料 外延生长 结构表征 透射电子显微镜

作者: 王勇

作者单位: 浙江大学电镜中心,浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,浙江杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012年全国电子显微学学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 15-15

在线出版日期: 2012-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）