InAs/GaSbⅡ型超晶格材料的微观结构研究

摘要：

　　本文利用分子束外延技术(MBE)制备了InAs/GaSbⅡ型超晶格材料，然后采用透射电镜(TEM)对材料的微观结构进行了分析，旨在为超晶格红外探测器的制备提供帮助。

关键词： 金属材料 晶格结构 透射电镜 分子束外延技术

作者: 崔其霞 隋曼龄 史衍丽 郭振玺 窦海啸 张振华 卢岳

作者单位: 北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124 昆明物理研究所,云南昆明650223

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012年全国电子显微学学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 24-24

在线出版日期: 2012-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）