紫外老化对硅橡胶复合绝缘子的表面结构影响的慢正电子束的分析
采用慢正电子束技术研究了基于PDMS为原材料的复合绝缘子的紫外辐照后的近表面结构变化.实验结果发现：1.经过紫外辐照后的样品的S参数，在低的正电子入射能量范围内(0-2.5keV)远低于体态值，此现象表明：紫外辐照使得在样品的表面附近产生了一层类似于SiOx的无机层，该层的厚度大约为40nm.2.在距表面180到360 nm的范围内，相比于体层，经辐照后样品的S参数的峰值不仅随着辐照时间的延长而变大，而且有朝着表面移动的趋势.这一现象表明了在SiOx层的下层有一相比于体层内拥有更多自由体积的高分子层，归结为紫外辐照使得硅橡胶的分子链出现了断链的行为，而且越靠近表面这种断链行为越剧烈.基于上述分析，本工作也给出了硅橡胶绝缘子紫外老化后的表面结构示意图.
郑峰 王少阶 方鹏飞 何春清 熊邦云 王聪
武汉大学物理学院湖北省核固体物理重点实验室,武汉,430072
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2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）